ARTIKEL/TESTS / OCZ ARC 100 SSD mit 240 GB im Test

Technologiewandel im NAND-Flash-Bereich

Bereits seit vielen Monaten und verschiedenen Produktneuvorstellungen setzt OCZ konsequent auf 19 nm Flashspeicher und hat mittlerweile das komplette Consumer-Portfolio erfolgreich umgestellt. Auch die ARC 100 Drives knüpfen dort an und verwenden moderne Toshiba-Chips (TH58TEG7DDKBA4C, 19 nm Toggle DDR 2.0), die in einem A19 nm Fertigungsprozess entstehen und eine Reduktion der Herstellungskosten erlauben (verglichen mit 25 oder 32 nm). Dies wird möglich, da durch den geringeren Platzbedarf mehr Chips aus einem 300 mm Silizium-Wafer gewonnen werden können und die Produktion insgesamt (kosten)effizienter abläuft. Dadurch entstehende preisliche Vorteile kann Toshiba bzw. letztlich Plextor mehr oder weniger direkt an den Endkunden weitergeben und für eine attraktive Preisgestaltung sorgen. Auch die Verfügbarkeit ist ein direkt davon abgeleitetes Thema.

Doch wo Licht ist, ist bekanntlich auch Schatten: Nachteilig wirkt sich die Reduktion der Strukturbreite nämlich auf die Lebenserwartung der Speicherzellen aus, denn die maximal mögliche Anzahl von Schreib- und Löschzyklen (Program/Erase-Cycles) sinkt. Während beispielsweise bei einer Vertex 3 mit 29F64G08ACME2 NAND-Flashes (25 nm) noch 5.000 P/E-Cycles im Datenblatt nachzulesen waren, muss sich der Flash der Vertex 3.20 (29F16B08CCMF3, 20 nm) mit 3.000 Zyklen begnügen – was immer noch sehr viel ist. Ziel des 19-nm-Shrinks ist sowohl die Kosteneinsparung als auch die verbesserte Verfügbarkeit der Chips. Heutzutage sind Flash-Speicher ein fester Bestandteil in sehr vielen elektronischen Endprodukten (Smartphones, Tablets etc.) und der entsprechend steigende Bedarf lässt sich dadurch abfangen. TLC ist eine weitere Alternative.

	Single-Level-Cell (SLC)	Multi-Level-Cell (MLC)	Triple-Level-Cell (TLC)
Bits per Cell	1	2	3
P/E-Cycles	100.000	3.000-5.000	1.000-1.500
Read Time	25 µs	50 µs	75 µs
Program Time	200-300 µs	600-900 µs	~900-1350 µs
Erase Time	1,5-2 ms	3 ms	~4,5 ms

Der größte Konkurrent des 19 nm MLC im günstigen Entry-Level heißt TLC und findet unter anderem bei aktuellen Drives von Samsung (SSD 840 Familie) Verwendung. TLC-Zellen (Triple-Level-Cell) sind in der Lage bis zu drei Bit zu speichern, die durch acht unterschiedliche Schaltzustände abgebildet werden. Dadurch kann eine deutlich höhere Speicherdichte erreicht werden, was wiederum die Kosten für entsprechende Endprodukte sinken lässt. Durch die höhere Anzahl unterschiedlicher Spannungsniveaus (TLC: 2^3 = 8 / MLC: 2^2 = 4) sind diese Zelltypen aber auch anfälliger für die Abnutzung und letztlich den Ausfall. Genaue Informationen über die Zuverlässigkeit sind aktuell nicht verfügbar, Samsung gibt jedoch drei Jahre Garantie auf entsprechende Laufwerke. Bei den maximal möglichen P/E-Cycles von TLC-Zellen spricht man zur Zeit von 1.000-1.500. Noch fehlen Langzeitstudien und Erfahrungswerte, da es sich um eine neue Technologie im SSD-Bereich handelt, die zudem bislang nur von sehr wenigen Herstellern in entsprechenden Endprodukten eingesetzt wird.

Modelle und Preise

In ingesamt drei unterschiedlichen Kapazitäten ist die neue ARC 100 von OCZ erhältlch. Die verschiedenen Modelle verfügen über wahlweise 120, 240 oder sogar satte 480 GB Speicherkapazität. Die beiden erstgenannten wechseln ab 70 bzw. 115 Euro den Besitzer (Quelle: Geizhals.de, Stand: 08/2014), für die 480 GB Variante werden vermutlich rund 220 Euro fällig – die löckenlose Verfügbarkeit sollte innerhalb der nächsten Tage gewährleistet sein. Daraus ergeben sich Preise pro Gigabyte von 58 bzw. 48 Euro-Cent für die Modelle mit 120 bzw. 240 GB – das Spitzenmodell liegt bei rund 46 Cent. In der unten stehenden Tabelle sind alle wesentlichen technischen Eckdaten der Familie nachzulesen. Weitere Informationen zu unserem Testkandidaten erhalten Sie auf den nun folgenden Seiten des Artikels.

Modell	Random 4K Read	Random 4K Write	Sequential Read	Sequential Write
480 GB	75.000 IOPS	80.000 IOPS	490 MB/s	450 MB/s
240 GB	75.000 IOPS	80.000 IOPS	480 MB/s	430 MB/s
120 GB	75.000 IOPS	80.000 IOPS	475 MB/s	395 MB/s

Autor: Stefan Boller, Patrick von Brunn