Samsung Electronics kündigte heute die industrieweit erste 45 nm Embedded Flash ("eFlash") Logik-Prozessentwicklung an. Samsung hat den neuen Prozess erfolgreich in einen Smart Card Testchip eingebaut. Dies bedeutet, dass die eFlash-Prozesstechnologie die hohen Qualitätsanforderungen des Marktes für funktionelle Sicherheit (Security) erfüllt und auf kommerzieller Ebene erfolgreich eingesetzt werden kann.
"Unser 45nm eFlash-Logikprozess hat das Potenzial, in einer großen Vielzahl von Komponenten für Lösungen mit höchster funktioneller Sicherheit und Mobilgeräte eingesetzt werden zu können, darunter Smart Card ICs, NFC ICs, eSEs (Embedded Secure Element) und TPM (Trusted Platform Module)," sagt Taehoon Kim, Vice President of Marketing, System LSI Business, Samsung Electronics. "Die ausgezeichnete Leistungsfähigkeit dieses Smart Card Testchips wird helfen, unsere Führungsposition auf dem Markt für ICs für funktionale Sicherheit zu festigen."
Der Smart Card IC basiert auf Samsungs 45 nm eFlash Logikprozess. Es werden eine hohe Zuverlässigkeit sowie eine hohe Haltbarkeit von 1 Million Zyklen pro Flash-Speicherzelle garantiert. Die erreichte Leistungsfähigkeit ist ein branchenweiter Bestwert und übertrifft alle anderen Lösungen, die derzeit auf dem Markt angeboten werden und im Allgemeinen nur für 500.000 Zyklen angegeben sind. Aufgrund von Verbesserungen sowohl bei der Struktur der Flash-Zellen wie auch beim Funktionskonzept erreicht der Testchip gegenüber anderen Produkten, die im 80 nm eFlash Logikprozess hergestellt werden, eine 50 Prozent höhere wahlfreie Zugriffszeit (random access time) und eine 25 Prozent höhere Leistungseffizienz.
Erste Smart Card IC Muster für kommerzielle Nutzung, die in dieser 45 nm eFlash Technologie hergestellt werden, sind in der zweiten Jahreshälfte 2014 zu erwarten.
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