Samsung hat mit der Massenproduktion von V-NAND-Speichern der fünften Generation mit der derzeit höchsten Datenübertragungsrate begonnen. In der ersten Nutzung der Toggle DDR 4.0-Schnittstelle hat die Geschwindigkeit bei der Übertragung von Daten vom Storage zum Speicher über den neuen 256-Gigabit-V-NAND-Speicher 1,4 Gbit/s erreicht – gegenüber dem 64-schichtigen Vorgänger eine Erhöhung um 40 Prozent.
Die Energieeffizienz von Samsungs neuem V-NAND bleibt vergleichbar mit den 64-schichtigen Chips. Primär ist dies auf die von 1,8V auf 1,2V reduzierte Versorgungsspannung zurückzuführen. Die V-NAND-Speicher weisen mit aktuell 500 μs auch die kürzeste Datenschreibzeit auf, was gegenüber der bisherigen Generation einer Verbesserung um etwa 30 Prozent entspricht. Die Reaktionszeit auf Lesesignale konnte wesentlich auf 50 μs gesenkt werden. Samsungs V-NAND-Speicher der fünften Generation enthalten über 90 Schichten mit CTF-Zellen (Charge Trap Flash), die pyramidenförmig mit vertikal durchgebohrten Kanallöchern aufeinander gestapelt sind. Die Kanallöcher sind nur wenige hundert Nanometer groß und enthalten mehr als 85 Milliarden CTF-Zellen, die jeweils drei Bit Daten speichern können.
Aufgrund von Verbesserungen im Atomlagenabscheidungsprozess (ALD) konnte Samsung die Fertigungsproduktivität um über 30 Prozent steigern. Die Technik ermöglicht die Höhe jeder Zellenlage (Cell Layer) um 20 Prozent zu reduzieren, was Übersprechen zwischen Zellen verhindert und die Effizienz der Chips bei der Datenverarbeitung erhöht. Samsung wird die Produktion seiner V-NAND-Speicher der fünften Generation schnell hochfahren, um möglichst viele aktuelle Marktanforderungen zu erfüllen.
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